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浙江定制铝碳化硅碳砖公司 宜兴新威利成耐火材料供应

上传时间:2022-01-11 浏览次数:
文章摘要:在半绝缘型碳化硅衬底市场,主流衬底产品规格为4英寸;在导电型碳化硅衬底市场,主流产品规格为6英寸。随着越来越多企业6英寸碳化硅晶片生产线的建立,下游厂商的采购需求逐渐由4英寸转向6英寸。国外**企业率先完成8英寸衬底的研发,浙江定

在半绝缘型碳化硅衬底市场,主流衬底产品规格为4英寸;在导电型碳化硅衬底市场,主流产品规格为6英寸。随着越来越多企业6英寸碳化硅晶片生产线的建立,下游厂商的采购需求逐渐由4英寸转向6英寸。国外**企业率先完成8英寸衬底的研发,浙江定制铝碳化硅碳砖公司,国内企业也大力布局大尺寸衬底。2.多领域需求驱动,碳化硅市场前景广阔自1955年菲力浦实验室的Lely***在实验室成功制备碳化硅单晶以来,在随后的60余年中,美国、欧洲、日本等发达国家与地区的科研院所与企业不断创新和改良碳化硅单晶的制备技术与设备,在碳化硅单晶晶体及晶片技术与产业化领域形成了较大优势。2.1.碳化硅在电力电子领域应用场景及市场空间碳化硅功率器件在风力发电、工业电源、航空航天等领域已实现成熟应用,浙江定制铝碳化硅碳砖公司。伴随新能源汽车,浙江定制铝碳化硅碳砖公司、光伏发电、轨道交通、智能电网等产业的快速发展,功率器件的使用需求大幅增加。随着越来越多企业 6 英寸碳化硅晶片生产线的建立,下游厂商的采购需求逐渐由 4 英寸转向 6 英寸。浙江定制铝碳化硅碳砖公司

此外,碳化硅的热导率大幅高于其他材料,从而使得碳化硅器件可在较高的温度下运行,其工作温度高达600℃,而硅器件的极限温度*为300℃;另一方面,高热导率有助于器件快速降温,从而下游企业可简化器件终端的冷却系统,使得器件轻量化。根据CREE的数据,相同规格的碳化硅基MOSFET尺寸*为硅基MOSFET的1/10。同时,碳化硅具有较高的能量转换效率,且不会随着频率的提高而降低,碳化硅器件的工作频率可以达到硅基器件的10倍,相同规格的碳化硅基MOSFET总能量损耗*为硅基IGBT的30%。碳化硅材料将在高温、高频、高频领域逐步替代硅,在5G通信、航空航天、新能源汽车、智能电网领域发挥重要作用。上海铝碳化硅碳砖密度但砷化镓材料的禁带宽度较小、击穿电场低且具有毒性,无法在高温、高频、高功率器件领域推广。

碳化硅器件代工领域,国内企业有相当竞争力。中车时代电气建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地,拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术;华润微具备碳化硅功率器件制备技术。泰科天润是国内**的碳化硅功率器件生产商,其在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂,可在4/6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。目前泰科天润的碳化硅器件650V/2A-100A,1200V/2A-50A,1700V/5A-50A,3300V/0.6A-50A等系列的产品已经投入批量生产,产品质量可以比肩国际同行业的先进水平。

(1)新能源车、5G通信发展不及预期风险。新能源车为碳化硅功率器件带来巨大的增量市场;5G通信领域驱动碳化硅射频器件需求增长。若新能源车销量、5G基站建设数量不及预期,SiC的发展会随之受到影响。(2)SiC技术难度大,产品研发不及预期风险。国外**企业大力布局SiC领域研发,若国内企业产品研发失败,无法满足下游应用市场要求,对市场前景会产生不利影响。(3)相关扩产项目不及预期风险。国内外主要碳化硅厂商均在大力扩产,产品竞争加剧,可能出现产能过剩的问题。若扩产项目不及预期,会对公司的竞争力产生不利影响。(4)SiC成本高居不下,光伏、轨交等领域SiC渗透率不及预期风险。目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件,下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与因碳化硅器件的优越性能带来的综合成本下降之间的关系,一定程度上限制了碳化硅器件的渗透率。若碳化硅制造成本无法下降,对市场应用进展产生不利影响。第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为**,与前两代半导体材料相比比较大的优势是较宽的禁带宽度。

碳化硅产业链可分为三个环节:碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场,通常采用物***相传输法(PVT法)制备碳化硅单晶,再在衬底上使用化学气相沉积法(CVD法)生成外延片,***制成器件。在SiC器件的产业链中,主要价值量集中于上游碳化硅衬底(占比50%左右)。碳化硅衬底根据电阻率划分:半绝缘型碳化硅衬底:指电阻率高于105Ω·cm的碳化硅衬底,其主要用于制造氮化镓微波射频器件。微波射频器件是无线通讯领域的基础性零部件,中国大力发展5G技术推动碳化硅衬底需求释放。导电型碳化硅衬底:指电阻率在15~30mΩ·cm的碳化硅衬底。由导电型碳化硅衬底生长出的碳化硅外延片可进一步制成功率器件,功率器件是电力电子变换装臵的**器件,广泛应用于新能源汽车、光伏、智能电网、轨道交通等领域。汽车电动化趋势利好SiC发展。碳化硅是第三代半导体材料,光电特性优越,满足新兴应用需求。安徽定制铝碳化硅碳砖分类

轨道交通车辆中大量应用功率半导体器件。浙江定制铝碳化硅碳砖公司

新能源汽车行业是市场空间巨大的新兴市场,全球范围内新能源车的普及趋势逐步清晰化。随着新能源汽车的发展,对功率器件需求量日益增加,成为功率半导体器件新的增长点。新能源汽车系统架构中涉及到功率半导体应用的组件包括:电机驱动系统、车载充电系统(OBC)、电源转换系统(车载DC/DC)和非车载充电桩。碳化硅功率器件应用于电机驱动系统中的主逆变器,能够***降低电力电子系统的体积、重量和成本,提高功率密度。美国特斯拉公司的Model3车型采用以24个碳化硅MOSFET为功率模块的逆变器,是***家在主逆变器中集成全碳化硅功率器件的汽车厂商;碳化硅器件应用于车载充电系统和电源转换系统,能够有效降低开关损耗、提高极限工作温度、提升系统效率,目前全球已有超过20家汽车厂商在车载充电系统中使用碳化硅功率器件;碳化硅器件应用于新能源汽车充电桩,可以减小充电桩体积,提高充电速度。浙江定制铝碳化硅碳砖公司

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